Одиночные MOSFET транзисторы

10273
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10273)
FQA11N90-F109 FQA11N90-F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P туба
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
11.4А
Тип транзистора:
N-канальный
FQA13N50CF FQA13N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
218Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2055пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 Single N-Channel 800 V 0.75 Ohm 88 nC 300 W DMOS Flange Mount Mosfet - TO-3PN
Производитель:
ON Semiconductor
FQA160N08 FQA160N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 160A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA170N06 FQA170N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 170A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
170A
Сопротивление открытого канала:
5.6 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
9350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA19N60 FQA19N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18.5A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA24N60 FQA24N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 23.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
23.5A
Сопротивление открытого канала:
240 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
145нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA27N25 FQA27N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 27A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA28N15 FQA28N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 227Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA28N50 500V 28.4A 160mOhm@10V,14.2A 310W 5V@250uA N Channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS
Производитель:
ON Semiconductor
FQA32N20C FQA32N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
204Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA36P15 FQA36P15 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 36А 294Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
3320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA40N25 FQA40N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA44N30 FQA44N30 Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 43.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
FQA46N15 FQA46N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA55N25 FQA55N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
6250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA62N25C FQA62N25C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 62A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
62A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
298Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
6280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA65N20 FQA65N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA6N90C_F109 FQA6N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
198Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQA70N10 FQA70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"