Одиночные MOSFET транзисторы

709
Напряжение сток-исток макс.: 60В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (709)
IRFI3306GPBF IRFI3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 71A TO220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
71A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм @ 43А, 10В
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
135нКл @ 10В
Входная емкость:
4685пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI7536GPBF IRFI7536GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 103A TO220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
86A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.4 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
195нКл @ 10В
Входная емкость:
6600пФ @ 48В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIZ14GPBF IRFIZ14GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIZ24GPBF IRFIZ24GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIZ34GPBF IRFIZ34GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIZ44GPBF IRFIZ44GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIZ48GPBF IRFIZ48GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 37A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
37A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFL014PBF IRFL014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 178 шт
Цена от:
от 22,58
IRFP048PBF IRFP048PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFR014PBF IRFR014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7А 25Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR014TRLPBF IRFR014TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR020TRPBF IRFR020TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR3806PBF IRFR3806PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43А 71Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
15.8 мОм
Мощность макс.:
71Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 452 шт
Цена от:
от 46,99
IRFR9014PBF IRFR9014PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.1А 25Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
773 шт
Цена от:
от 28,74
IRFR9024TRLPBF IRFR9024TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 834 шт
Цена от:
от 18,94
Акция
IRFS3006PBF IRFS3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
300нКл
Входная емкость:
8970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
78 шт
Цена от:
от 327,23
Акция
IRFS3206PBF IRFS3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
6540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 075 шт
Цена от:
от 93,29
Акция
IRFS3306PBF IRFS3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
110 шт
Цена от:
от 119,43
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"