Одиночные MOSFET транзисторы

₆₇₄

Напряжение сток-исток макс.: 100В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (674)

IRF9520NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

480 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9520SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9520STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9530STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

127 шт

Цена от:

от 75,29₽

IRF9540NLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

23A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

117 мОм @ 14А, 10В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

110нКл @ 10В

Входная емкость:

1450пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9540NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

23A

Сопротивление открытого канала:

117 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

1450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

816 шт

Цена от:

от 108,47₽

IRF9540SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A 150Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

536 шт

Цена от:

от 143,87₽

IRFB4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

210нКл @ 10В

Входная емкость:

9620пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4212PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

72.5 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB59N10DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

59A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

114нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

IRFH5010TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

4340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5053TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.3A PQFN56

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.3A(Ta),46A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

18 мОм @ 9.3А, 10В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

36нКл @ 10В

Входная емкость:

1510пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11A 8-PQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11A(Ta),63A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12.4 мОм @ 37А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 100 µA

Заряд затвора:

72нКл @ 10В

Входная емкость:

3152пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFI4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB Full-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

72A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм @ 43А, 10В

Мощность макс.:

61Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

290нКл @ 10В

Входная емкость:

9540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB Full-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

43A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

9.3 мОм @ 26А, 10В

Мощность макс.:

47Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

110нКл @ 10В

Входная емкость:

4910пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI510GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

27Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI520GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.2A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI530GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.7A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

42Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI540GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI9520GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"