Одиночные MOSFET транзисторы

10238
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10238)
FQI27N25TU FQI27N25TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
25.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQI4N80TU FQI4N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQL40N50 FQL40N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
460Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQN1N50CTA FQN1N50CTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 380мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
380мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
890мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 300мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQNL2N50BTA FQNL2N50BTA Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 0.35 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92MOD
FQP10N20C FQP10N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
72Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP11P06 FQP11P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11.4A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP12N60C FQP12N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
650 мОм
Мощность макс.:
225Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP12P10 FQP12P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP13N10 FQP13N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12.8A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12.8А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FQP13N10L FQP13N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12.8A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12.8А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FQP13N50 FQP13N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
430 мОм @ 6.25А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 10В
Входная емкость:
2300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQP14N30 FQP14N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 14.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
14.4A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP19N20 FQP19N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19.4A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP20N06 FQP20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
60 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 10В
Входная емкость:
590пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQP20N06L FQP20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21А 0.055 Ом, 53Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP27N25 FQP27N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
25.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP2N90 FQP2N90 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 2.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
7.2 Ом
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP34N20 FQP34N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.60435 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"