Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6802)
NTHD3101FT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 7.4нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTHL020N120SC1 МОП-транзистор 20MW 1200V Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 103А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
NTHS4101PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 4.8А 1.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTHS4166NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 4.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTHS5404T1G Транзистор полевой N-канальный 20В 5.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
NTJS3151PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция NTJS3151PT2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 60 мОм @ 3.3А, 4.5В Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ @ 100 µA Заряд затвора: 8.6нКл @ 4.5В Входная емкость: 850пФ @ 12В Тип монтажа: Surface Mount
NTJS3157NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция NTJS4151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.3А 0.1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTJS4405NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363
NTK3043NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 210мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 210мА Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Входная емкость: 11пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTK3134NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 750мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 750мА Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Входная емкость: 120пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTK3139PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 780 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-723 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 660мА Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTLJF3117PT1G Полевой транзистор P-канальный 20В 3.3A 6-Pin WDFN лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 710мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 531пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTLJF4156NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 710мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 427пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTLJS2103PTBG Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1157пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTLJS4114NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 3.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTLUS3A90PZTBG Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-UDFN (1.6x1.6)
NTMFS4823NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм Мощность макс.: 860мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 795пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4833NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 910мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 5600пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"