Одиночные MOSFET транзисторы

10238
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10238)
FQPF20N06 FQPF20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF20N06L FQPF20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15.7A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF22P10 FQPF22P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQPF22P10T FQPF22P10T Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13А 45Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FQPF27P06 FQPF27P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
47Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF2N80YDTU FQPF2N80YDTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
6.3 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF33N10 FQPF33N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF33N10L FQPF33N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF47P06 FQPF47P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 30A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF5N40 FQPF5N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF5N50 FQPF5N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF5N90 FQPF5N90 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF630 FQPF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQPF65N06 FQPF65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40А 56Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQPF6N60C FQPF6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 40Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF6N80C FQPF6N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
5.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF70N10 FQPF70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF7N80C FQPF7N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
1.9 Ом
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF7P20 FQPF7P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 5.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.2A
Сопротивление открытого канала:
690 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF85N06 FQPF85N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 53A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4120пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6069 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"