Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
10238-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (10238)
FQPF8N60C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 48Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1255пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
10 шт
Цена от:
от 247,85₽
FQPF8N80CYDTU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.55 Ом
Мощность макс.:
59Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF8N90C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
1.9 Ом
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9N25CT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
710пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9N50C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
9A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
800 мОм @ 4.5А, 10В
Мощность макс.:
44Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
35нКл @ 10В
Входная емкость:
1030пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9N90CT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
2730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9P25
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQT13N06LTF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT13N06TF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT1N60CTF-WS
MOSFET, N-CH, 600V, 0.2A, SOT-223-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):9.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
Производитель:
ON Semiconductor
FQT1N60CTF_WS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT1N80TF_WS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 0.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
7.2нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT2P25TF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 0.55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
550мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT3P20TF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.67A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
670мА
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT4N25TF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 0.83A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT223-4
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
830мА
Сопротивление открытого канала:
1.75 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT5P10TF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT7N10TF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQU10N20CTU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU11P06TU
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU13N06LTU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6069 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара