Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6828)
IRLZ14SPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 10A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ24NSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 18 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRLZ24NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 60 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 15нКл @ 5В Входная емкость: 480пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ24PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 17A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLZ34NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
716 шт
Цена от:
от 85,12
IRLZ34PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB
Акция IRLZ44NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47А, 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
730 шт
Цена от:
от 100,22
IRLZ44PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLZ44SPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ44STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IXFA18N60X Производитель: IXYS Corporation
IXFA20N85XHV Транзистор полевой MOSFET N-канальный 850В 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 850В Ток стока макс.: 20А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IXFA36N30P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 36A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 36А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IXFH120N30X3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 120А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IXFH150N30X3 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 150А Сопротивление открытого канала: 0.0083Ом Мощность макс.: 890Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IXFH16N80P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 16A Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 16A(Tc) Сопротивление открытого канала: 600 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 460Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 4mA Заряд затвора: 71нКл @ 10В Входная емкость: 4600пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXFH22N60P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A TO-247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IXFH22N65X2 Полевой транзистор N-канальный 650В 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 390Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 2310пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFH26N50P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26А 400Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD (IXFH) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFH46N65X2 Полевой транзистор N-канальный 650В 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 76 мОм Мощность макс.: 660Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 4810пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"