Одиночные MOSFET транзисторы

₆₇₄

Напряжение сток-исток макс.: 100В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (674)

IRFI9540GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11А 48Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFL110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2.0Вт, 0.54 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 633 шт

Цена от:

от 29,95₽

Акция

IRFL4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 864 шт

Цена от:

от 32,78₽

IRFL9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт, 1.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 624 шт

Цена от:

от 18,16₽

IRFP140PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP150MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP150PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 41A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

41A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

2800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97А 230Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

97A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

4820пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP4710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72А 190Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

72A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 793 шт

Цена от:

от 36,54₽

IRFR120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR120ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7А 35Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.7A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

600 шт

Цена от:

от 94,73₽

Акция

IRFR3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1690пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 632 шт

Цена от:

от 56,65₽

Акция

IRFR3411PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32А 130Вт, 0.044 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

71нКл

Входная емкость:

1960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

147 шт

Цена от:

от 42,64₽

Акция

IRFR3710ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

2930пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 891 шт

Цена от:

от 52,57₽

IRFR3710ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

18 мОм @ 33А, 10В

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

100нКл @ 10В

Входная емкость:

2930пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR3910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16А 52Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 512 шт

Цена от:

от 37,00₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"