Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6828)
IXFH88N30P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 88A Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD (IXFH) Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 88A(Tc) Сопротивление открытого канала: 40 мОм @ 44А, 10В Мощность макс.: 600Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 4mA Заряд затвора: 180нКл @ 10В Входная емкость: 6300пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXFK150N30P3 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 150А Мощность макс.: 1300Вт Тип транзистора: N-канальный
IXFK160N30T Транзистор полевой N-канальный 300В 160A TO-264 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 160A(Tc) Сопротивление открытого канала: 19 мОм @ 60А, 10В Мощность макс.: 1390Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 8mA Заряд затвора: 335нКл @ 10В Входная емкость: 28000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция IXFK200N10P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264AA (IXFK) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 200A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 830Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 8mA Заряд затвора: 235нКл @ 10В Входная емкость: 7600пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXFK240N25X3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 240A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 240А Тип транзистора: N-канальный
IXFK44N80P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 44A Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264
IXFK80N60P3 Транзистор полевой N-канальный 600В 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 13100пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFN110N60P3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 90 А, 1500 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-227 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 90А Мощность макс.: 1500Вт Тип транзистора: N-канальный
IXFN360N15T2 Транзистор полевой N-канальный 150В 310A 4-Pin SOT-227B Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-227 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 310A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 1070Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 715нКл Входная емкость: 47500пФ Тип монтажа: Chassis Mount
IXFN400N15X3 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 400А Сопротивление открытого канала: 0.0025Ом Мощность макс.: 695Вт Тип транзистора: N-канальный
IXFR140N20P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 90A ISOPLUS 247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 90А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IXFX240N25X3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 240A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 240А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
IXFX27N80Q Транзистор полевой N-канальный 800В 27A Производитель: IXYS Corporation Корпус: PLUS247[тм]-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 27A(Tc) Сопротивление открытого канала: 320 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 4mA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 7600пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXFX64N60P Полевой транзистор N-канальный 600В 64A PLUS247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: PLUS247[тм]-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 64A(Tc) Сопротивление открытого канала: 96 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 1040Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 8mA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 12000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция IXKH30N60C5 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 30 А 310 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247
IXKR25N80C Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 25 А Производитель: IXYS Corporation Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 25A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 18А, 10В Тип транзистора: N-канал Особенности: Super Junction Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 2mA Заряд затвора: 355нКл @ 10В Тип монтажа: Through Hole
IXTA02N250HV Транзистор полевой MOSFET N-канальный 2.5кВ 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 2500В Ток стока макс.: 0.2А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Акция IXTA06N120P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 0.6A Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 600мА(Tc) Сопротивление открытого канала: 32 Ом @ 300mА, 10В Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 50 µA Заряд затвора: 13.3нКл @ 10В Входная емкость: 270пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N120 Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N120TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 3А 200Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"