Одиночные MOSFET транзисторы

₅₅₂

Напряжение сток-исток макс.: 600В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (552)

STP28N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 24A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1370пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP33N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 26A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45.5нКл

Входная емкость:

1781пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP3NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

11.8нКл

Входная емкость:

311пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP5N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.7A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

4.5нКл

Входная емкость:

165пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP5NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.6 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

690пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP6N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8нКл

Входная емкость:

232пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP9NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

745 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17.4нКл

Входная емкость:

452пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STS1NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.25A 8-Pin SO N лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

250мА

Сопротивление открытого канала:

15 Ом

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

6.9нКл

Входная емкость:

94пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STU10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STU13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

IPAK (TO-251)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

580пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STU13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STU7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

950 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.8нКл

Входная емкость:

271пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STU7NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 45Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

900 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

363пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STU9N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

IPAK (TO-251)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

780 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

320пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW13NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

2030пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STW25NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW28N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 24A TO-247

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

24A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

150 мОм @ 12А, 10В

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

37нКл @ 10В

Входная емкость:

1370пФ @ 100В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW33N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 26A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45.5нКл

Входная емкость:

1781пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW34NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

210Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

80.4нКл

Входная емкость:

2785пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW43NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 35А 255Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

88 мОм

Мощность макс.:

255Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

145нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"