Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

FDB035N10A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

333Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

116нКл

Входная емкость:

7295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB045AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

138нКл

Входная емкость:

6600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB050AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

245Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

3900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB060AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

255Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

5150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB070AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

175Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB082N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 117A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

117A

Сопротивление открытого канала:

8.2 мОм

Мощность макс.:

231Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

6040пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB110N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 92A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

92A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

234Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

4510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 62A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10.9A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB15N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1857пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

107нКл

Входная емкость:

5870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2552 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 37A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

2800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

54 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

6000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3652 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

2880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC2512 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

425 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

344пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3512 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

634пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TSOT-23-6

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"