Одиночные MOSFET транзисторы

₆₇₄

Напряжение сток-исток макс.: 100В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (674)

IRLR110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6.1нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

655 шт

Цена от:

от 26,63₽

Акция

IRLR120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

48 267 шт

Цена от:

от 6,07₽

IRLR120NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

48 267 шт

Цена от:

от 6,07₽

IRLR120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR3110ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 140Вт, 0,014 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

3980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

12 709 шт

Цена от:

от 57,63₽

IRLR3110ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

3980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

12 709 шт

Цена от:

от 57,63₽

IRLR3110ZTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

14 мОм @ 38А, 10В

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В @ 100 µA

Заряд затвора:

48нКл @ 4.5В

Входная емкость:

3980пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

12 709 шт

Цена от:

от 73,63₽

Акция

IRLR3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 69Вт, 0.125 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 599 шт

Цена от:

от 15,44₽

IRLR3410TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

105 мОм @ 10А, 10В

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В @ 250 µA

Заряд затвора:

34нКл @ 5В

Входная емкость:

800пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 599 шт

Цена от:

от 15,44₽

Акция

IRLS4030-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190А 370Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

190A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

11490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

495 шт

Цена от:

от 340,11₽

IRLS4030TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

180A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.3 мОм @ 110А, 10В

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

130нКл @ 4.5В

Входная емкость:

11360пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXFK200N10P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A

Производитель:

Littelfuse

Корпус:

TO-264AA (IXFK)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

200A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм @ 100А, 10В

Мощность макс.:

830Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 8mA

Заряд затвора:

235нКл @ 10В

Входная емкость:

7600пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTH75N10L2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A TO-247

Производитель:

Littelfuse

Корпус:

TO-247 (IXTH)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

21 мОм @ 500mА, 10В

Мощность макс.:

400Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

215нКл @ 10В

Входная емкость:

8100пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTH76P10T Транзистор полевой MOSFET P-канальный -100В -76А

Производитель:

Littelfuse

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

76А

Тип транзистора:

P-канальный

Сообщить о поступлении

IXTN210P10T Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 210A SOT-227

Производитель:

Littelfuse

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

210А

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Chassis Mount

Сообщить о поступлении

LBSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A 225мВт SOT-23

Производитель:

Leshan Radio Company, Ltd

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

0.17А

Мощность макс.:

225мВт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

182 277 шт

Цена от:

от 0,80₽

NTB6410ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 76A D2PAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

76А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD6414ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

37 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD6415ANLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

23A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1024пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD6416ANLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 19A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

19A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

74 мОм @ 19А, 10В

Мощность макс.:

71Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В @ 250 µA

Заряд затвора:

40нКл @ 10В

Входная емкость:

1000пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"