Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (606)

STD25NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 25А 0.033 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD30N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 35A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD40NF10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 2180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD45N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 45 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD6NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 6А 0.22 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD80N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 70 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF110N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 5117пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF30N10F7 MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 24 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 19нКл @ 10В Входная емкость: 1270пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF80N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STH110N10F7-2 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 110 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 5117пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STH240N10F7-2 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 11550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STH315N10F7-2 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм Мощность макс.: 315Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 12800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STH315N10F7-6 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм Мощность макс.: 315Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 12800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STL100N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 5680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL110N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 21A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 107A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 5117пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STL40N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1320пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL60N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL8N10LF3 Транзистор полевой N-канальный 100В 20A Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFlat[тм] (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 4А, 10В Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 20.5нКл @ 10В Входная емкость: 970пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL90N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 3550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP100N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4369пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"