Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (606)
STP110N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 110A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Through Hole
STP150N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 110A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 117нКл Входная емкость: 8115пФ Тип монтажа: Through Hole
STP25N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 25A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole
STP310N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 180A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 315Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.8В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 12800пФ Тип монтажа: Through Hole
STP35NF10 Транзистор полевой N-канальный 100В 40А 115Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Through Hole
STP45N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 45A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Through Hole
STP60NF10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 104нКл Входная емкость: 4270пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Through Hole
Новинка SUD09P10-195-GE3 Транзистор полевой P-канальный 100В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 195 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 34.8нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P10-43L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 37.1 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 37.1A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM60N10-17-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM90N10-8M2P-E3 Транзистор полевой N-канальный 100В 90A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 6290пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM90P10-19L-E3 Транзистор полевой P-канальный 100В 90A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 326нКл Входная емкость: 11100пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUP85N10-10-E3 Транзистор полевой N-канальный 100В 85A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 6550пФ Тип монтажа: Through Hole
TK100A10N1,S4X(S Транзистор полевой N-канальный 100В 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 207A Тип транзистора: N-канал
TK100E10N1,S1X(S Транзистор полевой N-канальный 100В 207A 255Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220 Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 207A Тип транзистора: N-канал
TK40A10N1,S4X(S Полевой транзистор N-канальный 100В 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Тип транзистора: N-канал
TK40E10N1,S1X(S Транзистор полевой N-канальный 100В 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Тип транзистора: N-канал
TK65A10N1,S4X(S Полевой транзистор N-канальный 100В 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 148A Тип транзистора: N-канал
TK65E10N1,S1X(S Транзистор полевой N-канальный 100В 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 148A Тип транзистора: N-канал
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"