Одиночные MOSFET транзисторы

125
Напряжение сток-исток макс.: 75В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (125)
Акция
AUIRFR2607Z AUIRFR2607Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR3607 AUIRFR3607 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7606-75B,118 BUK7606-75B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
91нКл @ 10В
Входная емкость:
7446пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9226-75A,118 BUK9226-75A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 45A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
24.6 мОм
Мощность макс.:
114Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
3120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y19-75B,115 BUK9Y19-75B,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 48.2A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
48.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.15В @ 1mA
Заряд затвора:
30нКл @ 5В
Входная емкость:
3096пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDA032N08 FDA032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
220нКл @ 10В
Входная емкость:
15160пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDB031N08 FDB031N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
15160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB045AN08A0 FDB045AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
5150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1857пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB3502 FDB3502 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
815пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1874пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDH038AN08A1 FDH038AN08A1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDMS3500 FDMS3500 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 9.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
14.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
4765пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP032N08 FDP032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
15160пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP047N08 FDP047N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 164A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
164A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
268Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
152нКл
Входная емкость:
9415пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
5150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP16AN08A0 FDP16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1857пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"