Одиночные MOSFET транзисторы

279
Напряжение сток-исток макс.: 55В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (279)
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47А 83Вт, 0.022 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 344 шт

Внешние склады:
320 шт
Цена от:
от 55,36
Акция
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 300 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 135 шт
Цена от:
от 59,54
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 262 шт

Внешние склады:
100 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 26,08
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77А 130Вт, 0.01 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
89A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 232 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 123,62
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 229 шт

Внешние склады:
540 шт
Цена от:
от 56,84
IRF5305PBF IRF5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 193 шт

Внешние склады:
820 шт
Цена от:
от 45,12
IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 20А 79Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
P-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
982 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,40
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5,1A 57,5мОм SOT-223
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
57.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
947 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,16
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 89A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
89A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
944 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 124,68
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А 130Вт, 0.014 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
64A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
81нКл
Входная емкость:
1970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
900 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 89,50
IRFU024NPBF IRFU024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 45Вт, 0.075 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
882 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 85,69
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 94Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
49A
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
823 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 63,29
Акция
IRF3805STRL-7PP IRF3805STRL-7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A D2PAK-7
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
160A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм @ 140А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
200нКл @ 10В
Входная емкость:
7820пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
733 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 216,33
Акция
IRL2505PBF IRL2505PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
691 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 169,70
AUIRF1405ZSTRL AUIRF1405ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75А
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
669 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 255,20
Акция
HUF75329D3ST HUF75329D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
128Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
651 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,48
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
580 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,55
Акция
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
578 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 44,98
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
65 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1200пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
531 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
320 шт
Цена от:
от 166,67
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт TO-247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
110А
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
525 шт

Внешние склады:
409 шт
Цена от:
от 79,25
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"