Одиночные MOSFET транзисторы

₁₀₄

Напряжение сток-исток макс.: 250В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (104)

FDB2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

42.5 мОм

Мощность макс.:

260Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

101нКл

Входная емкость:

7280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB44N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

69 мОм

Мощность макс.:

307Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

2870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD7N25LZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 6.2A DPAK-3

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

6.2A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

550 мОм @ 3.1А, 10В

Мощность макс.:

56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В @ 250 µA

Заряд затвора:

16нКл @ 10В

Входная емкость:

635пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS2734 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

122 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

2365пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

50A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

42.5 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

260Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

101нКл @ 10В

Входная емкость:

7280пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP33N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

94 мОм

Мощность макс.:

235Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

2135пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF44N25T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

69 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

2870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDPF51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

28А

Мощность макс.:

33Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

197 шт

Цена от:

от 203,10₽

FDS2734 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

117 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

2610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA27N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 27A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

210Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA40N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

280Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA55N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 55A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

180нКл

Входная емкость:

6250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA62N25C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 62A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

62A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

298Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

6280пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 10.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

10.5A

Сопротивление открытого канала:

620 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQD16N25CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 16А 270 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53.5нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4N25TM_WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.75 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

5.6нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4P25TM-WS Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 3.1A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

3.1А

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD4P25TM_WS Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 3.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

2.1 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD6N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

8.5нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"