Одиночные MOSFET транзисторы

55
Напряжение сток-исток макс.: 25В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (55)
IRFH4210DTRPBF IRFH4210DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 44A 8PQFN
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
44A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
1.10 мОм @ 50А, 10В
Мощность макс.:
3.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 100 µA
Заряд затвора:
77нКл @ 10В
Входная емкость:
4812пФ @ 13В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFH4253DTRPBF IRFH4253DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 64A/145A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
64A,145A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм @ 30А, 10В
Мощность макс.:
31Вт, 50Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR8259PBF IRLR8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLU8259PBF IRLU8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
1.04Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.8нКл
Входная емкость:
115пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD4858NT4G NTD4858NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 11.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
11.2A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
19.2нКл
Входная емкость:
1563пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD4860NT4G NTD4860NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 10.4A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
10.4А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
NTS4409NT1G NTS4409NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 700мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
280мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.5нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVJS4405NT1G NVJS4405NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 1A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
630мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.5нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVS4409NT1G NVS4409NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SC-70 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
280мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.5нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 300A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
300A
Сопротивление открытого канала:
0.72 мОм
Мощность макс.:
158Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
110.2нКл
Входная емкость:
8320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN1R2-25YL,115 PSMN1R2-25YL,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
121Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.15В
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
6380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4116DY-T1-E3 SI4116DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
8.6 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1925пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
8.6 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1925пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR438DP-T1-GE3 SIR438DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
4560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"