Одиночные MOSFET транзисторы

66
Ток стока макс.: 75A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (66)
BUK9212-55B,118 BUK9212-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
3519пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R4-40B,118 BUK964R4-40B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 174A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
254Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
7124пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP090N10 FDP090N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
116нКл
Входная емкость:
8225пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP100N10 FDP100N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75А 0.01 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
7300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP75N08A FDP75N08A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
137Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
104нКл
Входная емкость:
4468пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75345G3 HUF75345G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
325Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
275нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75545S3ST HUF75545S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
235нКл
Входная емкость:
3750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75645S3ST HUF75645S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
238нКл
Входная емкость:
3790пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75652G3 HUF75652G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
515Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
475нКл
Входная емкость:
7585пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
700В
Ток стока макс.:
75A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IRF1010EZSTRLP IRF1010EZSTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 84A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
2810пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF1010ZSPBF IRF1010ZSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение сток-исток макс.:
55V
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7.5 mOhm
Мощность макс.:
140W
Тип транзистора:
N-Channel
Пороговое напряжение включения макс.:
4V
Заряд затвора:
95nC
Входная емкость:
2840pF
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF1503PBF IRF1503PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
5730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF2804SPBF IRF2804SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
6450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 857 шт
Цена от:
от 92,51
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFB7546PBF IRFB7546PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7.3 мОм
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
87нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRL1404ZSPBF IRL1404ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
5080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 800 шт
Цена от:
от 190,38
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDP7060 NDP7060 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
115нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN009-100B,118 PSMN009-100B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
156нКл
Входная емкость:
8250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"