Одиночные MOSFET транзисторы

82
Ток стока макс.: 6A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (82)
2SK3115 2SK3115 Транзистор полевой N-канальный 600В 6А
Производитель:
Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
N-канал
2SK3115B 2SK3115B Транзистор полевой N-канальный 600В 6А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
N-канал
2SK3532 2SK3532 Транзистор полевой N-канальный 900В 6А 70Вт
Производитель:
FUJI Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK4005 2SK4005 Полевой транзистор, N-канальный, 900В 6А 70Вт
Производитель:
FUJI Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Акция
2SK4098 2SK4098 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 33Вт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK4100 2SK4100 Транзистор полевой N-канальный 650В 6А 33Вт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
BSZ340N08NS3G BSZ340N08NS3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 6A автомобильного применения 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSDSON
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
FCPF850N80Z FCPF850N80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
28.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1315пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB3682 FDB3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC606P FDC606P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1699пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM-F085 FDD6N50TM-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM-WS FDD6N50TM-WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDME510PZT FDME510PZT Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6(1.6x1.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP3682 FDP3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDT434P FDT434P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1187пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA6N90C_F109 FQA6N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
198Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9P25 FQPF9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
660 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
615пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP65R660CFD IPP65R660CFD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
660 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
615пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR825PBF IRFR825PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.3 Ом
Мощность макс.:
119Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1346пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"