Одиночные MOSFET транзисторы

55
Ток стока макс.: 13A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (55)
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
4340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR13N20DPBF IRFR13N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
235 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 898 шт
Цена от:
от 65,86
Акция
IRFR6215PBF IRFR6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 723 шт
Цена от:
от 44,38
IRFU5410PBF IRFU5410PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
205 мОм
Мощность макс.:
66Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLH5030TRPBF IRLH5030TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6) Single Die
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
5185пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMFS4834NT1G NTMFS4834NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
4500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
5.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
5.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB13NK60ZT4 STB13NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB18N60M2 STB18N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21.5нКл
Входная емкость:
791пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB18NM60N STB18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
285 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB18NM60ND STB18NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STW13NK100Z STW13NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 13А 350Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
350Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
266нКл
Входная емкость:
6000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW13NK60Z STW13NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW18NM60N STW18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
285 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"