Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1890)
Surface Mount(3529)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (57)

Акция

IRFR13N20DPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 13А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 235 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 301 шт

Цена от:

от 73,39₽

IRFR5410TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

8 704 шт

Цена от:

от 39,01₽

Акция

IRFR6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 295 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 690 шт

Цена от:

от 57,38₽

IRFU5410PBF Транзистор полевой P-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLH5030TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 5185пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4834NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NTMFS4835NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 890мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4835DDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 13A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 5.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4835DDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 13A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 5.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB13NK60ZT4 Транзистор полевой N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2030пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB18N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21.5нКл Входная емкость: 791пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB18NM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 285 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB18NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP18N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21.5нКл Входная емкость: 791пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STW13NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1KВ 13А 350Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 350Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 266нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STW13NK60Z Транзистор полевой N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2030пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STW18NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 285 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"