Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
58
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (58)
FDS6576
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
4044пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS8433A
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT434P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1187пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY100PZ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 350мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
350мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY101PZ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 150мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY300NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 600мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6%
Акция
FDY301NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.2А 5 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY302NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS8425
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1098пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2300DS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
68 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3443CDV-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.97A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.97A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12.4нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3443CDV-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.97А 2Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.97A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12.4нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI5459DU-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® ChipFet Single
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
10.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
665пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7106DN-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 12.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12.5A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
27нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI8812DB-T2-E1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В
Производитель:
Vishay
Корпус:
Microfoot4
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Сопротивление открытого канала:
59 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
17нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA445EDJ-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS6NF20V
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
600mВ
Заряд затвора:
11.5нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STT5N2VH5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
4.6нКл
Входная емкость:
367пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара