Одиночные MOSFET транзисторы

64
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (64)
BUK9237-55A,118 BUK9237-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 32A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
77Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.6нКл
Входная емкость:
1236пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9240-100A,118 BUK9240-100A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
38.6 мОм
Мощность макс.:
114Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
3072пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9277-55A,118 BUK9277-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
643пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9614-60E,118 BUK9614-60E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 56A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
12.8 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
20.5нКл
Входная емкость:
2651пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R2-80E,118 BUK964R2-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
349Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
17130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R4-40B,118 BUK964R4-40B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 174A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
254Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
7124пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R8-60E,118 BUK964R8-60E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.4 мОм
Мощность макс.:
234Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
9710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y21-40E,115 BUK9Y21-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
824пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R4-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
26.8нКл
Входная емкость:
4077пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
195Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
39.4нКл
Входная емкость:
6319пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
2.7нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG3420U-7 DMG3420U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.47A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.47A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
740мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
5.4нКл
Входная емкость:
434.7пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6% Акция
FDB8832 FDB8832 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
1.9 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
265нКл
Входная емкость:
11400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4685 FDD4685 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32А 27 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVD3055L170T4G NVD3055L170T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
275пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 500 шт
Цена от:
от 39,60
NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NX3020NAK,215 NX3020NAK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 200мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
0.44нКл
Входная емкость:
48пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB120N4LF6 STB120N4LF6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB270N4F3 STB270N4F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
7400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD120N4LF6 STD120N4LF6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4151 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"