Одиночные MOSFET транзисторы

₉₂

Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (92)

Акция

AUIRF540ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DВІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

36A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

26.5 мОм @ 22А, 10В

Мощность макс.:

92Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

63нКл @ 10В

Входная емкость:

1770пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF7739L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 375A DIRECTFET2

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

46A(Ta),270A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1 мОм @ 160А, 10В

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

330нКл @ 10В

Входная емкость:

11880пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF7769L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 375A DIRECTFET

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

375A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм @ 74А, 10В

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

300нКл @ 10В

Входная емкость:

11560пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR4104 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

42A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм @ 42А, 10В

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

89нКл @ 10В

Входная емкость:

2950пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR4105Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

20A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

24.5 мОм @ 18А, 10В

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

27нКл @ 10В

Входная емкость:

740пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR5410TRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

205 мОм @ 7.8А, 10В

Мощность макс.:

66Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

58нКл @ 10В

Входная емкость:

760пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR6215 Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 P-канальный -150В -13А [D-PAK]

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

13A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

295 мОм @ 6.6А, 10В

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

66нКл @ 10В

Входная емкость:

860пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR9024NTRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

175 мОм @ 6.6А, 10В

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

19нКл @ 10В

Входная емкость:

350пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DВІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

180A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм @ 106А, 10В

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

215нКл @ 10В

Входная емкость:

9575пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4010-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7P

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

190A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4 мОм @ 110А, 10В

Мощность макс.:

380Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

230нКл @ 10В

Входная емкость:

9830пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFSL4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A TO262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

180A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм @ 106А, 10В

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

215нКл @ 10В

Входная емкость:

9575пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFZ44N Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 N-канальный 55В 49А [TO-220AB]

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

49A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

17.5 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

94Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

63нКл @ 10В

Входная емкость:

1470пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFZ44VZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

57A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12 мОм @ 34А, 10В

Мощность макс.:

92Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

65нКл @ 10В

Входная емкость:

1690пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFZ44VZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

57A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12 мОм @ 34А, 10В

Мощность макс.:

92Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

65нКл @ 10В

Входная емкость:

1690пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFZ44Z Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 N-канальный 55В 51А [TO-220AB]

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

51A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

13.9 мОм @ 31А, 10В

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

43нКл @ 10В

Входная емкость:

1420пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB8443 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO-263AB

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

25A(Ta),120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 80А, 10В

Мощность макс.:

188Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

185нКл @ 10В

Входная емкость:

9310пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDBL0630N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 169A H-PSOF8

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PSOF

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

169A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

6.3 мОм @ 80А, 10В

Мощность макс.:

500Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

90нКл @ 10В

Входная емкость:

5805пФ @ 75В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A(Ta),80A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

9 мОм @ 80А, 10В

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

110нКл @ 10В

Входная емкость:

6000пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP80N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

10 мОм @ 40А, 10В

Мощность макс.:

176Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

74нКл @ 10В

Входная емкость:

3190пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQD30N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22.7A DPAK-3

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

22.7A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

45 мОм @ 11.4А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

25нКл @ 10В

Входная емкость:

945пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"