Одиночные MOSFET транзисторы

92
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (92)
AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1690пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFZ44VZSTRL AUIRFZ44VZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1690пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFZ44Z AUIRFZ44Z Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 N-канальный 55В 51А [TO-220AB]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
43нКл @ 10В
Входная емкость:
1420пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDB075N15A FDB075N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
130A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
333Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
100нКл @ 10В
Входная емкость:
7350пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB8443 FDB8443 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO-263AB
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
25A(Ta),120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3 мОм @ 80А, 10В
Мощность макс.:
188Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
185нКл @ 10В
Входная емкость:
9310пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDBL0630N150 FDBL0630N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 169A H-PSOF8
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PSOF
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
169A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм @ 80А, 10В
Мощность макс.:
500Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
90нКл @ 10В
Входная емкость:
5805пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86200DC FDMS86200DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 9.3A POWER 56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
9.3A(Ta),28A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17 мОм @ 9.3А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
42нКл @ 10В
Входная емкость:
2955пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP3632 FDP3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A(Ta),80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9 мОм @ 80А, 10В
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
6000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP80N06 FDP80N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
10 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
176Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
74нКл @ 10В
Входная емкость:
3190пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQD30N06TM FQD30N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22.7A DPAK-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
22.7A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
45 мОм @ 11.4А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
25нКл @ 10В
Входная емкость:
945пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP20N06 FQP20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
60 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 10В
Входная емкость:
590пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF15P12 FQPF15P12 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 120В 15A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
120В
Ток стока макс.:
15A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
200 мОм @ 7.5А, 10В
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
1100пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9N50C FQPF9N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
9A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
800 мОм @ 4.5А, 10В
Мощность макс.:
44Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
35нКл @ 10В
Входная емкость:
1030пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
162A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 95А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
200нКл @ 10В
Входная емкость:
7360пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
162A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 95А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
200нКл @ 10В
Входная емкость:
7360пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
466 шт
Цена от:
от 66,04
IRF1405STRRPBF IRF1405STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 131A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
131A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм @ 101А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
260нКл @ 10В
Входная емкость:
5480пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
379 шт
Цена от:
от 66,04
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 100A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.8 мОм @ 78А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
250нКл @ 10В
Входная емкость:
5600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF2804LPBF IRF2804LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A TO-220-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
240нКл @ 10В
Входная емкость:
6450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
62A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.6 мОм @ 48А, 10В
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3270пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70844 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"