Одиночные MOSFET транзисторы

67
Заряд затвора: 14нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (67)
Акция
IRFL024ZPBF IRFL024ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5.1A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
57.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 449 шт
Цена от:
от 28,78
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
229пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
146 шт
Цена от:
от 17,64
IRFR220PBF IRFR220PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
4.8A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR220TRPBF IRFR220TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
4.8A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR224PBF IRFR224PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
117 шт
Цена от:
от 20,57
Акция
IRFR3707ZPBF IRFR3707ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
969 шт
Цена от:
от 58,03
IRFR9020TRPBF IRFR9020TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 9.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 236 шт
Цена от:
от 105,88
IRFR9214PBF IRFR9214PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
27 шт
Цена от:
от 115,31
IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
229пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU9020PBF IRFU9020PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 9.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU9214PBF IRFU9214PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLR7821PBF IRLR7821PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 65A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS3441T1G NTGS3441T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.65A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.65A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
72.4 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
645пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI9433BDY-T1-GE3 SI9433BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
14нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
STD25N10F7 STD25N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD6NF10T4 STD6NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6А 0.22 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD7ANM60N STD7ANM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
363пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD86N3LH5 STD86N3LH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD8NM50N STD8NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
790 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
364пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"