Одиночные MOSFET транзисторы

₇₄

Заряд затвора: 20нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (74)

SI4431BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.7A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 141,01₽

SI7308DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

58 мОм

Мощность макс.:

19.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

665пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 72,13₽

AUIRFR024N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR4292 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 9.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

9.3A

Сопротивление открытого канала:

345 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

705пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18563Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 96A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

6.8 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18563Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-VSON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

6.8 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3535 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

183 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TSOT-23-6

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8451 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

990пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA520PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 7.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET 2x2

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1645пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7580 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1312пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN304PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB30N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1040пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD6N40CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

625пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD9N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 7.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

7.4A

Сопротивление открытого канала:

420 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

-6% Акция

FQP6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

810пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 40Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

810пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP65R225C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

225 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

996пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB812PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

810пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"