Одиночные MOSFET транзисторы

₆₁

Заряд затвора: 18нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (61)

IRLZ24PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NDS8425 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

7.4A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1098пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS4166NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS5404T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

600mВ

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2312CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

31.8 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

865пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.1A SOT23-3

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3460DDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

7.9A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

666пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4386DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

1.47Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4464DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4464DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7464DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.8A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7820DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7820DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR836DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

15.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD16NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 13A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

235 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD30NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD3NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 2.5А 90Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

1000В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

6 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

601пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD5NM60-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

96Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STD5NM60T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

96Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF3NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 2.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

1000В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

6 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

601пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"