Одиночные MOSFET транзисторы

62
Мощность макс.: 70Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (62)
2SK3530 2SK3530 Полевой транзистор, N-канальный, 800В 7А 70Вт
Производитель:
FUJI Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
7A
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK3532 2SK3532 Транзистор полевой N-канальный 900В 6А 70Вт
Производитель:
FUJI Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK3696 2SK3696 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 13А 70Вт
Производитель:
FUJI Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
13A
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK4005 2SK4005 Полевой транзистор, N-канальный, 900В 6А 70Вт
Производитель:
FUJI Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
ATP301-TL-H ATP301-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ATPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ATP302-TL-H ATP302-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 70A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ATPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
115нКл
Входная емкость:
5400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STB8N65M5 STB8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD10NM50N STD10NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
630 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD12N65M5 STD12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD5N62K3 STD5N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 4.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD86N3LH5 STD86N3LH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STI4N62K3 STI4N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 3.8A I2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
3.8A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2 Ом @ 1.9А, 10В
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 50 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
550пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
STP12N65M5 STP12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP2NK100Z STP2NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.85A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.85A
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
499пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP5N52K3 STP5N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP8N65M5 STP8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 0.56 Ом, 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP9NM60N STP9NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
745 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.4нКл
Входная емкость:
452пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU12N65M5 STU12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 0.430 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU4N62K3 STU4N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 3.8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU5N62K3 STU5N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 4.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"