Одиночные MOSFET транзисторы

53
Мощность макс.: 30Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (53)
FQPF20N06L FQPF20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15.7A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.2А 30Вт, 8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF5N50D-E3 SIHF5N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
325пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD12NF06LT4 STD12NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD6NF10T4 STD6NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6А 0.22 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF110N10F7 STF110N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
5117пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF15NM60ND STF15NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
299 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STF19NM50N STF19NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
-6% Акция
STF23NM50N STF23NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 17А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF40NF06 STF40NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 23A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF80N10F7 STF80N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP10P6F6 STP10P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP9NK50ZFP STP9NK50ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Through Hole
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40473 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"