Одиночные MOSFET транзисторы

82
Мощность макс.: 45Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (82)
FQPF22P10 FQPF22P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF7P20 FQPF7P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 5.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.2A
Сопротивление открытого канала:
690 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
-6% Акция
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 31А 45Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRL2703PBF IRL2703PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 45Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
881 шт
Цена от:
от 85,94
Акция
IRLR024NPBF IRLR024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
15 381 шт
Цена от:
от 14,70
IRLR024NTRLPBF IRLR024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
15 381 шт
Цена от:
от 14,70
IRLR024NTRRPBF IRLR024NTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
65 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 5В
Входная емкость:
480пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
15 381 шт
Цена от:
от 14,70
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB16NF06LT4 STB16NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD1NK80Z-1 STD1NK80Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
16 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
7.7нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD2N62K3 STD2N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD2N95K5 STD2N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
105пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD3LN62K3 STD3LN62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
386пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD3N62K3 STD3N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
385пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11.8нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD4NK50Z-1 STD4NK50Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD4NK50ZT4 STD4NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD5N60M2 STD5N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
211пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"