Одиночные MOSFET транзисторы

₅₉

Мощность макс.: 200Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (59)

IRF1404ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

4340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

100 шт

Цена от:

от 169,23₽

IRF1405SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 131А 200Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

131A

Сопротивление открытого канала:

5.3 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

260нКл

Входная емкость:

5480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

181 шт

Цена от:

от 167,26₽

IRF1405STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 131A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

131A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

5.3 мОм @ 101А, 10В

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

260нКл @ 10В

Входная емкость:

5480пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

181 шт

Цена от:

от 66,04₽

IRF2204SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 170A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

170A

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

5890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3205SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

110A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

146нКл

Входная емкость:

3247пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3710LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

23 мОм @ 28А, 10В

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

130нКл @ 10В

Входная емкость:

3130пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3710SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

3130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 618 шт

Цена от:

от 63,65₽

IRF3710STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

23 мОм @ 28А, 10В

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

130нКл @ 10В

Входная емкость:

3130пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 618 шт

Цена от:

от 49,61₽

Акция

IRF3808SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 106А 200Вт, 0.007 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

106A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

220нКл

Входная емкость:

5310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

387 шт

Цена от:

от 95,96₽

IRF3808STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В/106А/200Вт/0.007 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

106А

Сопротивление открытого канала:

0.007Ом

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

387 шт

Цена от:

от 110,60₽

IRFP3415PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

43A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFS3307TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

6.3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

180нКл @ 10В

Входная емкость:

5150пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4410TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 88A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

88A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

180нКл

Входная емкость:

5150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRL1404ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.7В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

5080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 000 шт

Цена от:

от 328,07₽

Акция

IRL3803VPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 200Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

140A

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

3720пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTA3N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Производитель:

Littelfuse

Корпус:

TO-263 (IXTA)

Напряжение сток-исток макс.:

1200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

4.5 Ом

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTA3N120TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 3А 200Вт

Производитель:

Littelfuse

Корпус:

TO-263 (IXTA)

Напряжение сток-исток макс.:

1200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

4.5 Ом

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STH140N8F7-2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 90A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

HВІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

96нКл

Входная емкость:

6340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP140N8F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 90A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

4.3 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

96нКл

Входная емкость:

6340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"