Одиночные MOSFET транзисторы

₇₂₁

Напряжение сток-исток макс.: 30В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (721)

NVMFS4C03NWFT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 31.4A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

31.4А

Тип транзистора:

N-канальный

Сообщить о поступлении

NVR4003NT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTA7002NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 154мА

Производитель:

ON Semiconductor

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

154мА

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Сообщить о поступлении

NVTFS4C08NTWG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

WDFN8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

5.9 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

18.2нКл

Входная емкость:

1113пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.95A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.13A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTR4503NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

420мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

135пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NX3008PBK,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

230мА

Сопротивление открытого канала:

4.1 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

0.72нКл

Входная емкость:

46пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NX3008PBKMB,315 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN1006B (0.6x1)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

4.1 Ом

Мощность макс.:

360мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

0.72нКл

Входная емкость:

46пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NX3020NAK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 200мА

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

200мА

Сопротивление открытого канала:

4.5 Ом

Мощность макс.:

300мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

0.44нКл

Входная емкость:

48пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NX3020NAKW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 180мА

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

180мА

Сопротивление открытого канала:

4.5 Ом

Мощность макс.:

260мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

0.44нКл

Входная емкость:

48пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMF250XNEX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.9A 3-Pin SC-70 лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

254 мОм

Мощность макс.:

342мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±12В

Заряд затвора:

1.65нКл

Входная емкость:

81пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMF370XN,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.87A 3-Pin SC-70 лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-323

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

870мА

Сопротивление открытого канала:

440 мОм

Мощность макс.:

560мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

0.65нКл

Входная емкость:

37пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMK35EP,518 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 14.9A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT96-1 (SO8)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14.9A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

6.9Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

2100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

389 шт

Цена от:

от 25,31₽

PMV40UN,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.9A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

9.3нКл

Входная емкость:

445пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB120EPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN (1.1x1)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

309пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMZ1000UN,315 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.48A 3-Pin DFN лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-883

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

480мА

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

0.89нКл

Входная емкость:

43пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMZB390UNEYL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.9A 3-Pin DFN-B лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

900мА

Сопротивление открытого канала:

470 мОм

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±8В

Заряд затвора:

1.3нКл

Входная емкость:

41пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN011-30YLC,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 37A LFPAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

37A

Сопротивление открытого канала:

11.6 мОм

Мощность макс.:

29Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.95В

Заряд затвора:

10.3нКл

Входная емкость:

641пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN013-30YLC,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

13.6 мОм

Мощность макс.:

26Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.95В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

521пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R1-30PL,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

1.3 мОм

Мощность макс.:

338Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

243нКл

Входная емкость:

14850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"