Одиночные MOSFET транзисторы

₆₇₄

Напряжение сток-исток макс.: 100В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (674)

PSMN027-100PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

37A

Сопротивление открытого канала:

26.8 мОм

Мощность макс.:

103Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1624пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN034-100PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

34.5 мОм

Мощность макс.:

86Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

23.8нКл

Входная емкость:

1201пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN069-100YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

72.4 мОм

Мощность макс.:

56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

645пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN075-100MSEX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK33

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

71 мОм

Мощность макс.:

65Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16.4нКл

Входная емкость:

773пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN8R7-100YSFX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9мОм LFPAK56

Производитель:

NEXPERIA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Сопротивление открытого канала:

9мОм

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFP12N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SI1480DH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363 (SC-88)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2328DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.15A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.15A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

730мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

5нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 000 шт

Цена от:

от 23,30₽

SI4100DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

63 мОм

Мощность макс.:

6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 500 шт

Цена от:

от 89,78₽

SI4190ADY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

18.4A

Сопротивление открытого канала:

8.8 мОм

Мощность макс.:

6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

1970пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7113DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13.2A

Сопротивление открытого канала:

134 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

55нКл

Входная емкость:

1480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7113DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13.2A

Сопротивление открытого канала:

134 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

55нКл

Входная емкость:

1480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7456DDP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 27.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

27.8A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

35.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

29.5нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7489DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAK® SO-8 Single

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

41 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

160нКл

Входная емкость:

4600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 375 шт

Цена от:

от 101,37₽

SIB456DK-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-75-6L Single

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR804DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

7.2 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR846ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

7.8 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

2350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR870ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

6.6 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2866пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP15P10PHXKSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 15A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

15А

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPP15P10PLHXKSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 15A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

15А

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"