Одиночные MOSFET транзисторы

₇₃₆

Напряжение сток-исток макс.: 30В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1872)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (736)

PSMN013-30YLC,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

13.6 мОм

Мощность макс.:

26Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.95В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

521пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R1-30PL,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

1.3 мОм

Мощность макс.:

338Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

243нКл

Входная емкость:

14850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN1R8-30PL,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм

Мощность макс.:

270Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.15В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

10180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN2R0-30PL,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.1 мОм

Мощность макс.:

211Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.15В

Заряд затвора:

117нКл

Входная емкость:

6810пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN2R4-30MLDX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A 8-Pin LFPAK EP лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK33

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

91Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

3264пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN2R4-30YLDX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

106Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

31.3нКл

Входная емкость:

2256пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN2R9-30MLC,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK33

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

2.9 мОм

Мощность макс.:

91Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

2.15В

Заряд затвора:

36.1нКл

Входная емкость:

2419пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN9R1-30YL,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 57A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

9.1 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.15В

Заряд затвора:

16.7нКл

Входная емкость:

894пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RSC002P03T316 Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -0.25A SOT-23

Производитель:

ROHM

Корпус:

SST3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

250мА

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

200мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Входная емкость:

30пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RSS100N03 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2Вт

Производитель:

ROHM

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10A

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

SI1302DL-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 600мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SC-70-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

600мА

Сопротивление открытого канала:

480 мОм

Мощность макс.:

280мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

1.4нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1443EDH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

54 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

28нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2304BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2304BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2306BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4.5нКл

Входная емкость:

305пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2306BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4.5нКл

Входная емкость:

305пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2307BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.5А 1.25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

78 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2316BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

1.66Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9.6нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2366DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8A SOT-23

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.8A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

36 мОм @ 4.5А, 10В

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

10нКл @ 10В

Входная емкость:

335пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2369DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-236

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4598 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"