Одиночные MOSFET транзисторы

₇₀₉

Напряжение сток-исток макс.: 60В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (709)

STP260N6F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

183нКл

Входная емкость:

11400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP36NF06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

690пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP60NF06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

16 мОм @ 30А, 10В

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

66нКл @ 10В

Входная емкость:

1810пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP60NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP80NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

3850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STS3P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

3А

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

P-канальный

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STS5NF60L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STS7NF60L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.5A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

19.5 мОм @ 3.5А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В @ 250 µA

Заряд затвора:

34нКл @ 4.5В

Входная емкость:

1700пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD08P06-155L-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

8.4A

Сопротивление открытого канала:

155 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18.3A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD19P06-60-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18.3A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD23N06-31-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21.4A

Сопротивление открытого канала:

31 мОм

Мощность макс.:

31.25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50N06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

9.3 мОм

Мощность макс.:

136Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

2650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P06-15-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

165нКл

Входная емкость:

4950пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P06-15L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

165нКл

Входная емкость:

4950пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM55P06-19L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 55A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

115нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUP53P06-20-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

19.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

115нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP90N06-6M0P-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

4700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP90P06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 90A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

9.3 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

240нКл

Входная емкость:

9200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SVD5865NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"