Одиночные MOSFET транзисторы

780
Тип транзистора: P-канал
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (780)
SI4825DDY-T1-GE3 SI4825DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 14.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.9A
Сопротивление открытого канала:
12.5 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
2550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
5.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
5.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
6.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI5429DU-T1-GE3 SI5429DU-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® ChipFet Dual
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI5459DU-T1-GE3 SI5459DU-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® ChipFet Single
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
10.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
665пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI6423DQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
8.2A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.05Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
110нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
8-TSSOP
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
8.2A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.05Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
110нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
134 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
134 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 8.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 8.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7119DN-T1-E3 SI7119DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
666пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
11.4 мОм
Мощность макс.:
52.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
3345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7135DP-T1-GE3 SI7135DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
250нКл
Входная емкость:
8650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 354 шт
Цена от:
от 9,15
SI7137DP-T1-GE3 SI7137DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.95 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
585нКл
Входная емкость:
20000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
146нКл
Входная емкость:
4230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.9 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
400нКл
Входная емкость:
14300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
5125пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"