Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

FQD11P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7.5нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N10TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD16N25CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 16А 270 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53.5нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD19N10TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

15.6A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD20N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

16.8A

Сопротивление открытого канала:

63 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

590пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD2N60CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.9А 4.7 Ом, 44Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

4.7 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

235пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5N15TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5P10TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

1.05 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD6N40CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

625пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD6N50CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

451 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD8P10TM_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

530 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

470пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQN1N50CTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 380мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

380мА

Сопротивление открытого канала:

6 Ом

Мощность макс.:

890мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

195пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQN1N60CTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 300мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

11.5 Ом

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

6.2нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP10N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

72Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP11P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11.4A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

53Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP12N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 225Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

650 мОм

Мощность макс.:

225Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

2290пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP12P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11.5A

Сопротивление открытого канала:

290 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP3N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

3.4 Ом

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

565пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"