Одиночные MOSFET транзисторы

709
Напряжение сток-исток макс.: 60В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (709)
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
263A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK30A06N1,S4X(S TK30A06N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
43A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK30E06N1,S1X(S TK30E06N1,S1X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
43A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK40E06N1,S1X(S TK40E06N1,S1X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
60A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK58A06N1,S4X(S TK58A06N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
105A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
TK58E06N1,S1X(S TK58E06N1,S1X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
105A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
185мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.7нКл
Входная емкость:
23пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 710 шт
Цена от:
от 18,58
TP0610T-G TP0610T-G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.12A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-236AB (SOT23)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
10 Ом @ 200mА, 10В
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 1mA
Входная емкость:
60пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
VN10LFTA VN10LFTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.15A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
WMO060N06LG2 WMO060N06LG2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 60В, ток стока 75А
Производитель:
Wayon
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75А
Тип транзистора:
N-канальный
ZVN4206GVTA ZVN4206GVTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP2106GTA ZVP2106GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 450мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
450мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP3306A ZVP3306A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 160мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
160мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZVP3306FTA ZVP3306FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.09A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A07FQTA ZXMN6A07FQTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.2A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.2нКл
Входная емкость:
166пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.2нКл
Входная емкость:
166пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.8нКл
Входная емкость:
459пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A08KTC ZXMN6A08KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.36A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.36A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
2.12Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.8нКл
Входная емкость:
459пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24.2нКл
Входная емкость:
1407пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"