Одиночные MOSFET транзисторы

₇₃₆

Напряжение сток-исток макс.: 30В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1872)
Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (736)

SI4835DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

5.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

10 104 шт

Цена от:

от 17,52₽

SI4842BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм

Мощность макс.:

6.25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

3650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4874BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

3230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4894BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.9A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

1.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1580пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5429DU-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® ChipFet Dual

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

31Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

2320пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5468DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

ChipFET8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

435пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7114ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7139DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

146нКл

Входная емкость:

4230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7625DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

126нКл

Входная емкость:

4427пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9435BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 280 шт

Цена от:

от 38,64₽

SIA421DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

950пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR158DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

4980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR172ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

29.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

1515пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR402DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR460DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

2071пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR462DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

7.9 мОм

Мощность макс.:

41.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1155пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIRA06DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

77нКл

Входная емкость:

3595пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIRA10DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

2425пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIRA14DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

58A

Сопротивление открытого канала:

5.1 мОм

Мощность макс.:

31.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS476DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

77нКл

Входная емкость:

3595пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4598 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"