Одиночные MOSFET транзисторы

721
Напряжение сток-исток макс.: 30В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (721)
Акция
STL6N3LLH6 STL6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 2x2
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.6нКл
Входная емкость:
283пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP150N3LLH6 STP150N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 33А 1.6 мОм
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
4040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP200NF03 STP200NF03 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
4950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP75N3LLH6 STP75N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 75A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
23.8нКл
Входная емкость:
2030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STS11NF30L STS11NF30L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS7PF30L STS7PF30L Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS8DN3LLH5 STS8DN3LLH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Тип транзистора:
N-канал
Акция
STU150N3LLH6 STU150N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
4040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU85N3LH5 STU85N3LH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
5.4 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUD50N03-06AP-E3 SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
TPHR9003NL,L1Q(M TPHR9003NL,L1Q(M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 220A 8-Pin SOPAdvance
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
220A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
TSM3401CX RFG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
2.7нКл
Входная емкость:
551.57пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
TSM3404CX RFG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8A SOT23
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
13.8нКл
Входная емкость:
400.96пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61N03FTA ZXM61N03FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4.1нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61P03FTA ZXM61P03FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM64P03XTA ZXM64P03XTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
MSOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
825пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM66P03N8TA ZXM66P03N8TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.25A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.56Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1979пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN3A14FTA ZXMN3A14FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.6нКл
Входная емкость:
448пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN3B14FTA ZXMN3B14FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.9A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.7нКл
Входная емкость:
568пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN3F30FHTA ZXMN3F30FHTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.8A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
950мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.7нКл
Входная емкость:
318пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"