Одиночные MOSFET транзисторы

₇₃₆

Напряжение сток-исток макс.: 30В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1872)
Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (736)

SISA04DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

2.15 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

77нКл

Входная емкость:

3595пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQ3418AEEV-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке

Производитель:

Vishay

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SSM3K329R,LF(B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.5A 3-Pin SOT-23F лента на катушке

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.5A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SSM3K333R,LF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6А

Тип транзистора:

N-канальный

Сообщить о поступлении

STB155N3H6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB155N3LH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 110Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

3800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB55NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

55A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB70NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A D2PAK

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

70A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм @ 35А, 10В

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В @ 250 µA

Заряд затвора:

30нКл @ 5В

Входная емкость:

1440пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB70NF3LLT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF03L-04T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A D2PAK

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4 мОм @ 40А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В @ 250 µA

Заряд затвора:

110нКл @ 4.5В

Входная емкость:

5500пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD150N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 2.8 мОм

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

2.8 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

3700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD30NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD30PF03LT4 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 24А 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD60N3LH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 48A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

8.8нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD86N3LH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD95P3LLH6AG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80А

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL150N3LLH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFlat[тм] (6x5)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

1.75 мОм

Мощность макс.:

4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

5800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL23NS3LLH7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 23A 8-Pin Power Flat EP лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

23A

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

STL66DN3LLH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 78.5A автомобильного применения 8-Pin Power Flat лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFlat[тм] (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

78.5A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм @ 10А, 10В

Мощность макс.:

72Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Сообщить о поступлении

Акция

STL6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFLAT 2x2

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3.6нКл

Входная емкость:

283пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4598 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"