Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

HUF75345S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

325Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

275нКл

Входная емкость:

4000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75545S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

270Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

235нКл

Входная емкость:

3750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75639G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75645P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

238нКл

Входная емкость:

3790пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75645S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

238нКл

Входная емкость:

3790пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75652G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

515Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

475нКл

Входная емкость:

7585пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB180N04S4H0ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 180A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-7-3

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

180A

Сопротивление открытого канала:

1.1 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

225нКл

Входная емкость:

17940пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD100N04S402ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3-313

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

118нКл

Входная емкость:

9430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP120N20NFDAKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 84A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

84A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

87нКл

Входная емкость:

6650пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP65R045C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

46A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

93нКл

Входная емкость:

4340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP65R225C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

225 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

996пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R045C7FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

46A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

93нКл

Входная емкость:

4340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF1010EZSTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 84A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

2810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF1010NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 180Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

85A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

3210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

455 шт

Цена от:

от 81,17₽

IRF1018ESPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

79A

Сопротивление открытого канала:

8.4 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

2290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

249 шт

Цена от:

от 102,90₽

Акция

IRF1310NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 3.8Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 704 шт

Цена от:

от 93,37₽

Акция

IRF1404SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

162A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

7360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

466 шт

Цена от:

от 69,53₽

IRF1404ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

4340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

300 шт

Цена от:

от 159,20₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"