Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
780
Тип транзистора:
P-канал
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (780)
ZVP3306FTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.09A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP3310FTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.075A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75мА
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP4424GTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 240В 0.48A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
480мА
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61P02FTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 900мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61P03FTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM62P02E6TA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.3A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
5.8нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM64P02XTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
MSOP8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.9нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM64P03XTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
MSOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
825пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM66P03N8TA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.25A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.56Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1979пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP10A13FTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
600мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
1 Ом @ 600mА, 10В
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
3.5нКл @ 10В
Входная емкость:
141пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP10A17GTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.7A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
10.7нКл
Входная емкость:
424пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP10A18GTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
26.9нКл
Входная емкость:
1055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP10A18KTC
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
2.17Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
26.9нКл
Входная емкость:
1055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP3A13FTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.6A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
210 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
206пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP4A16GTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
26.1нКл
Входная емкость:
1007пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A13FTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
5.9нКл
Входная емкость:
219пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A16KTC
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
2.11Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
24.2нКл
Входная емкость:
1021пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A17E6QTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
17.7нКл
Входная емкость:
637пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A17E6TA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
17.7нКл
Входная емкость:
637пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP7A17GQTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 70В 2.6A SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
70В
Ток стока макс.:
2.6A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
160 мОм @ 2.1А, 10В
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
18нКл @ 10В
Входная емкость:
635пФ @ 40В
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара