Одиночные MOSFET транзисторы

101
Напряжение сток-исток макс.: 80В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (101)
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 45A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
45A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD90N08S405ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 90A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
90А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP028N08N3GXKSA1 IPP028N08N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP052N08N5AKSA1 IPP052N08N5AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP100N08N3GXKSA1 IPP100N08N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 70A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
70А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP120N08S404AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 300A автомобильного применения 9-Pin(8+Tab) HSOF лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
HSOF8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
300А
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF6646TRPBF IRF6646TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 12A 7-Pin Direct-FET MN лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MN
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
12A(Ta),68A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 150 µA
Заряд затвора:
50нКл @ 10В
Входная емкость:
2060пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7488TRPBF IRF7488TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 6.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7493PBF IRF7493PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.2А 2.5Вт, 0.015 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 267 шт
Цена от:
от 58,78
IRFR2607ZTRPBF IRFR2607ZTRPBF МОП-транзистор TRENCH 40<-<100V
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
45А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR3518PBF IRFR3518PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR3518TRPBF IRFR3518TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLR2908PBF IRLR2908PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30А 120Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 195 шт
Цена от:
от 34,34
IRLR2908TRLPBF IRLR2908TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 195 шт
Цена от:
от 31,56
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 28A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28А
Тип транзистора:
N-канальный
NVMFS6H818NT1G NVMFS6H818NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 20A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
20А
Тип транзистора:
N-канальный
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 20A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
20A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"