Одиночные MOSFET транзисторы

179
Напряжение сток-исток макс.: 150В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (179)
FDB075N15A-F085 FDB075N15A-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
130А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB082N15A FDB082N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 117A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
117A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
231Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
6040пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB110N15A FDB110N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 92A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
92A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
234Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB2532 FDB2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
5870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB2552 FDB2552 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 37A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB2572 FDB2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDBL0630N150 FDBL0630N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 169A H-PSOF8
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PSOF
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
169A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм @ 80А, 10В
Мощность макс.:
500Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
90нКл @ 10В
Входная емкость:
5805пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC2512 FDC2512 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
425 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
344пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC86244 FDC86244 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
144 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD120AN15A0 FDD120AN15A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.5нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD2572 FDD2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD2582 FDD2582 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
66 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1295пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD390N15A FDD390N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26А 63Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18.6нКл
Входная емкость:
1285пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD770N15A FDD770N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
56.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
765пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD86250 FDD86250 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
2110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDH055N15A FDH055N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
158A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
429Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
9445пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDMC2523P FDMC2523P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86240 FDMC86240 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
51 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86244 FDMC86244 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
134 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.9нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86259P FDMC86259P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
107 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
2045пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"