Одиночные MOSFET транзисторы

709
Напряжение сток-исток макс.: 60В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (709)
FQP50N06 FQP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
261 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 101,71
-7%
HKTD20N06 HKTD20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A 37мОм
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20А
Сопротивление открытого канала:
37мОм
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
9 655 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,54
-6% Акция
HUF76423P3 HUF76423P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
376 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,30
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
180A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
175 шт

Внешние склады:
284 шт
Цена от:
от 429,62
Акция
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
120 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 132,12
Акция
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A 188Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба, CoolMOS
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120А
Мощность макс.:
188Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
41 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 118,45
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 84А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
84A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
3210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 181 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,41
-6% Акция
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
2810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 68,86
Акция
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79А 110Вт, 0.0071 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
79A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 378 шт

Внешние склады:
679 шт
Цена от:
от 56,19
-6% Акция
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
79A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм @ 47А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
69нКл @ 10В
Входная емкость:
2290пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
149 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 73,19
IRF7478TRPBF IRF7478TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 775 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,69
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
39нКл @ 10В
Входная емкость:
1560пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 746 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 61,52
-6% Акция
IRF9Z14PBF IRF9Z14PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
219 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 86,90
-6% Акция
IRF9Z14SPBF IRF9Z14SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
119 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 50,78
-6% Акция
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11А 60Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 59,61
-6% Акция
IRF9Z24STRLPBF IRF9Z24STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
146 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,58
-6% Акция
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18А 88Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
670 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 66,01
IRFB3006PBF IRFB3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
300нКл
Входная емкость:
8970пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
210 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 150,19
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
6540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 825 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,55
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 082 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 35,93
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"