Одиночные MOSFET транзисторы

104
Напряжение сток-исток макс.: 250В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (104)
FQD9N25TM FQD9N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
420 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQI27N25TU FQI27N25TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
25.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP27N25 FQP27N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
25.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP9P25 FQP9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 9.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9N25CT FQPF9N25CT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
710пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9P25 FQPF9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQT2P25TF FQT2P25TF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 0.55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
550мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT4N25TF FQT4N25TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 0.83A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT223-4
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
830мА
Сопротивление открытого канала:
1.75 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD600N25N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
25А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPI600N25N3GAKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
25А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
17А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP200N25N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
64А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
25А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IRF250P224 IRF250P224 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
128А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IRF250P225 IRF250P225 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
69А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IRF624SPBF IRF624SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF634PBF IRF634PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1А 74Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
8.1A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF634STRRPBF IRF634STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
8.1A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFD224PBF IRFD224PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 630мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
630мА
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 000 шт
Цена от:
от 37,55
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"