Одиночные MOSFET транзисторы

₁₉₄

Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (194)

2N7002LT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

115мА

Сопротивление открытого канала:

7.5 Ом

Мощность макс.:

225мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

70 627 шт

Цена от:

от 0,78₽

2N7002TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

115мА

Сопротивление открытого канала:

7.5 Ом

Мощность макс.:

330мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

2V7002LT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.115A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

115мА

Сопротивление открытого канала:

7.5 Ом

Мощность макс.:

225мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 866 шт

Цена от:

от 3,78₽

AON6414A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A 8-Pin DFN EP лента на катушке

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

8-DFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

AUIRLR3114Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

4.9 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

3810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

202 шт

Цена от:

от 171,87₽

AUIRLS3036-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

240A

Сопротивление открытого канала:

1.9 мОм

Мощность макс.:

380Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

160нКл

Входная емкость:

11270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLS4030-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

190A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

11490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BS270 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 400мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

400мА

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

DMG4435SSS-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.3A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

35.4нКл

Входная емкость:

1614пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG7430LFG-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.5A автомобильного применения 8-Pin PowerDI EP лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

PowerDI3333-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10.5A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

26.7нКл

Входная емкость:

1281пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 93A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

5.7 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

2525пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8778 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35А 14 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

845пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8780 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8782 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8870 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

118нКл

Входная емкость:

5160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS6N548 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7660 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

4830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7660DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

5170пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

1.3 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

94нКл

Входная емкость:

5860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"