Одиночные MOSFET транзисторы

138
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (138)
Акция
IRF7822PBF IRF7822PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
572 шт
Цена от:
от 54,21
IRF7828TRPBF IRF7828TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.6A 8-SO
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.6A
Сопротивление открытого канала:
12.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1010пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRL2703PBF IRL2703PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 45Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
980 шт
Цена от:
от 85,94
Акция
IRL3803VPBF IRL3803VPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 200Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
140A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
76нКл
Входная емкость:
3720пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLL3303PBF IRLL3303PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
62 шт
Цена от:
от 93,74
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro6[тм](TSOP-6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR3103PBF IRLR3103PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55А 69Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
862 шт
Цена от:
от 66,65
IRLR7821PBF IRLR7821PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 65A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLR9343PBF IRLR9343PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 20А 79Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
990 шт
Цена от:
от 45,80
NDP6020P NDP6020P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTF6P02T3G NTF6P02T3G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
8.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1901пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.3A 6-Pin WDFN лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
710мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
531пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
710мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.5нКл
Входная емкость:
427пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTLJS4114NT1G NTLJS4114NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTNS3A65PZT5G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 235мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
281мА
Сопротивление открытого канала:
1.3 Ом
Мощность макс.:
155мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
44пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTNS3A91PZT5G NTNS3A91PZT5G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 223мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-XLLGA (0.62x0.62)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
223мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
121мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
41пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTNUS3171PZT5G NTNUS3171PZT5G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-1123
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
125мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
13пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"