Одиночные MOSFET транзисторы

₇₄

Заряд затвора: 20нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1872)
Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (74)

Акция

IRLR120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

168 662 шт

Цена от:

от 5,82₽

IRLR120NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

168 662 шт

Цена от:

от 5,82₽

Акция

IRLR3105PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 25А 57Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

37 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

287 шт

Цена от:

от 41,10₽

NTD3055L104-1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

104 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SI2399DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

835пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4100DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

63 мОм

Мощность макс.:

6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4100DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

63 мОм

Мощность макс.:

6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4431BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.7A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7308DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

58 мОм

Мощность макс.:

19.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

665пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7308DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

58 мОм

Мощность макс.:

19.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

665пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8406DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-Micro Foot[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

850mВ

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD5N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHF5N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP5N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"